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工业中低频应用的“能效密码”？大电流微沟槽IGBT带来答案
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 新产物宣告

产物介绍 来利国际w66官方网站科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封装1200V IGBT单管，产物接纳新一代微沟槽工艺平台，极大的优化了器件的导通损耗，产物参数一致性好，可靠性优良，适用于伺服、变频器等种种中低频应用领域。
产物特点 1. G3 1.6um微沟槽工艺平台，极具性价比的芯片方案 ；
2. 电压品级为1200V，电流品级为100A@Tc=100℃ ；
3. 低导通损耗，适用于中低频应用领域 ；
4. 较强的短路能力
规格书

DGQ100N120CTL2A

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