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用于PC主板的High-side+Low-side PDFN5060 N30V Mosfet
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 新产物宣告

产物介绍 来利国际w66官方网站科技近日推出了针对于PC主板应用的 High-side+Low-side PDFN5060 N30V Mosfets，产物接纳SGT技术，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，在300kHz以上高频率应用有优异的体现。
产物特点 1.接纳特殊优化的SGT技术,其性能指标FOM(RDS(on)*Qg)行业领先
2.接纳PDFN5060封装， High-side+Low-side 组合方案；
3.BVDSS典型值>33V设计, 提供更宁静的余量
规格书

YJG2D4G03AF YJG5D5G03AYJG2D7G03AF

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