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N100V MOSFET：给PD电源部署“低耗抗造”超顶内核~
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 新产物宣告

产物介绍 来利国际w66官方网站科技最新推出了一系列用于PD电源的N100V MOSFET产物 ，产物接纳特殊优化的SGT技术 ，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg ，明显降低导通和开关损耗 ，同时提升了MOSFET抗雪崩攻击能力。
产物特点 1.接纳最新优化的SGT工艺, 产物内阻低 ，开关特性优异；
2.接纳PDFN5*6-8L 封装 ，适用于PD电源同步整流应用；
3.针对电源应用的种种事情状态, 优化MOS产物EAS能力 ，提高产物的可靠性。
规格书

YJG4D6G10H YJG5D2G10H YJG6D3G10H YJG7D4G10H YJG8D0G10H

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